双重加热法生产 sic 晶须
· 2025-01-26
项目简介
（一）招商方： 青岛理工大学
（二）招商标的情况：
1.科技成果简介：
（1）SiC 晶须素有晶须之王的美称，主要用于制备陶瓷基、金属基、树脂基等复合材料，以提高材料的强度、硬度、抗磨等性能，在宇航、原子能、汽车、化学、冶金等工业领域有着广泛的用途。微米级 SiC 晶须在美国、日本等发达国家早已工业化生产，在我国尚未形成规模化生产，所用晶须主要依据于进口。SiC 晶须属于巴黎协会统筹物资，限制向第三世界国家出口，我国每年的进口数量非常有限，在很大程度上限制了国内复合材料的研究和开发，所以低成本、大规模生产 SiC 晶须具有重要意义。
（2）创新点及性能指标
双重加热技术原理是利用两套加热系统对试样进行内外同时加热，外加热系统为常规加热，试样为受热体；内加热系统是利用试样本身的电阻，对试样直接进行通电加热，试样为发热体。由于试样本身发热体，所以在耐火材料允许的情况下，用较少的能量，在很短的时间内就可以把试样加热到所需要的温度，具有省时、节能、高效的特点。双重加热炉能在较低的合成温度 (1400 ～ 1600℃ ) 下，合成 SiC 微米晶须或纳米晶须。目前国内主要用常规电炉合成 SiC 晶须，合成温度一般在 1600 ～ 1800℃ , 晶须的直径在 1 微米左右，配料中需加入催化剂和矿化剂，得到的产品需要进行酸洗和水洗，以除去催化剂。与国内现有技术相比，双重加热技术的合成温度大大降低、配料不需催化剂、产品不经过酸洗和水洗。双重加热技
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